iPhone 6 Plus 恐大規模召回？

作者： 記者吳筱雯、林淑惠╱台北報導 | 中時電子報 – 2014年11月5日 上午8:47

工商時報【記者吳筱雯、林淑惠╱台北報導】

蘋果128GB版iPhone 6 Plus問題頻傳，大規模召回難避免？

韓國網站Business Korea指出，蘋果為了降低成本而使用TLC型NAND快閃記憶體，然而TLC型快閃記憶體、控制晶片出問題機率也高，如果問題真的出在快閃記憶體與控制晶片，是無法用韌體更新來解決，蘋果將難避免全面召回128GB版6 Plus。

對此，中華電信總經理石木標說，目前沒有聽說，通路商昨日亦表示，並未接獲蘋果電腦指示全面召回i6 Plus 128GB手機相關訊息。

蘋果iPhone 6 Plus從上市以來，就頻繁出現切換應用程式時當機、重開機等問題，有用戶甚至因此而連續更換4支6 Plus，而根據韓國網站Business Korea報導，Business Korea指出，128GB版本的iPhone 6 Plus之所以問題頻傳，原因應是蘋果採用成本較低的TLC型NAND快閃記憶體。

在同樣的電晶體數量下，TLC型NAND快閃記憶體可以寫入比SLC型多2、3倍的資料量，價格也比SLC、MLC型便宜一些，但有一好沒兩好，TLC型快閃記憶體的資料讀取與寫入速度、穩定度，就遠不如SLC、MLC型，也因此，蘋果以往只有在部分iPad機種上採用TLC型快閃記憶體，iPhone上一向都只使用MLC型快閃記憶體。

而除了快閃記憶體本身特性帶來的問題外，快閃記憶體控制晶片也被Business Korea認為是128GB版本6 Plus問題頻傳的原因之一。

快閃記憶體在寫入資料時本來三不五時就會出錯，快閃記憶體控制晶片最重要的任務之一就是偵錯並修正，不過，TLC由於可以寫入比SLC高的資料量，TLC控制晶片得藉由控制高達8種不同的電壓，來達成此一任務，比起SLC只需控制兩種電壓、MLC控制4種電壓來說，TLC快閃記憶體、TLC控制晶片出錯的機率也更高。

Business Korea進一步表示，如果TLC型快閃記憶體、控制晶片是128GB版iPhone 6 Plus問題頻傳的主因，那麼可能必須大規模召回。

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