三星開發出全球最小DRAM記憶體晶片 速度提升10%

 Jenny · 2017-12-20

據韓聯社報導，三星電子今天宣佈，公司已開始透過第二代10奈米級制程工藝量產DRAM記憶體晶片。

三星表示，公司使用第二代10奈米級工藝生產出8Gb DDR4晶片，達成新的突破。

2016年2月，三星已使用第一代10奈米級工藝生產出了8Gb DDR4晶片。

另外，據路透社報導，三星開發的8Gb DDR4晶片是“全球最小”的DRAM晶片，擴大了領先對手的優勢。

在半導體業務的推動下，三星今年的營業利潤有望創下紀錄。

三星開發的8Gb DDR4晶片

三星稱，和第一代10奈米級工藝相比，第二代工藝的產能提高30%，有助於公司滿足全球客戶不斷飆升的DRAM晶片需求—而且第二代10奈米級晶片比第一代晶片快10%、功耗降低15%。

作為全球最大晶片製造商，三星表示，和2012年使用20奈米工藝生產的4Gb DDR3晶片相比，新的8Gb DDR4晶片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。

三星表示，公司希望透過擴大10奈米級DRAM晶片的生產，進一步提升整體競爭力。

三星還表示，公司將使用新工藝為客戶生產更多優質產品，利用最新技術進步，深入伺服器、移動和圖形晶片市場。

三星將在2018年把現有多數DRAM晶片產能轉移到10奈米級晶片上。

三星在10月底為半導體部門等三大主要業務任命了新一代負責人。

三星稱，公司並不尋求立即擴大晶片出貨量，但會投資維持長期市場地位。

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