2017年12月29日 星期五

美光完成GDDR6內部認證,2018年上半年開始投入生產



美光宣佈他們已經完成12Gbps和14Gbps GDDR6的設計和內部認證,這意味著他們已經完成了GDDR6開發過程中最困難的那部分,隨後美光應該會將精力轉向更高速度的GDDR6晶片研發。美光曾表示打算於2018年上半年量產GDDR6,現在這個計畫仍有序執行中。


圖片來源:Anandtech

與此同時,美光的研發人員正朝著16Gbps GDDR6的方向邁進,目前最大的挑戰不是資料傳輸方面,而是儲存單元本身。

GDDR標準的更新通常只針對儲存單元不斷提升的頻率,而資料介面傳送速率也在不斷提升(即GDDR6儲存單元的頻率上不去的話就與GDDR5X拉不開差距),因此瓶頸不在資料傳輸介面部分。



美光的貼文指出:雖然GDDR6將會是2018年性能最頂尖的顯存,但並不意味著GDDR6就會很快取代GDDR5,至少美光在接下來一段時間內還會繼續生產GDDR5顯存—例如他們現在已經量產了全新的“1x nm”8Gb GDDR5顯存。

即使GDDR6能大規模推向市場,仍會存在一段溢價期,比起價格虛高的GDDR6,顯然GDDR5更適合現在的顯卡。

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