前言近期Antec新發表了一款擁有80PLUS金牌認證的NeoECO Gold系列的電源供應器，在產品定位上看起來是有意取代以往的True Power系列。在瓦數上擁有550/650/750W三種選擇。並且採半模組化的設計。
這次所要介紹的是650W的版本。
650W的瓦數不管是要推動兩張高階的RX580這一類的顯卡，還是一張VEGA 64這種旗艦等級的頂規顯卡，都能夠正常應付(根據外媒測試的結果，RX Vega 64的峰值耗電約在385W左右)。
在輸出線材的設計上，僅將重要的ATX24Pin、CPU EPS 8Pin、與兩個PCI-E 6+2Pin設計於直出線上。剩餘的線材則是採用模組化設計。
兼具方便整線與減少全模組化造成微小的轉換效率損失的情形。
在保固方面則是享有Antec AQ7等級的7年免費保固，並且在台灣由視博通代理，所以同樣的，在前兩年故障也能夠至原價屋現場快換新品處理。省去更加冗長的維修時間與手續。
以下將介紹這款產品，並且拆解內部構造與測試給大家看。
Antec NeoECO 650W GOLD 規格
尺寸標準：ATX 150 mm (W) x 140 mm (L) x 86 mm (H)
輸出功率：650W
轉換效率：80PLUS金牌
散熱風扇：120mm、FDB液態軸承
接頭：ATX 20+4pin x1、EPS 4+4pin x 1、PCIe 6+2pin x 4、SATA x 6、Molex 4pin x 3、半模組化
保護：OPP, OVP, UVP, OCP, OTP, SCP, NLO, SIP
外包裝與配件一覽
外包裝正面，採Antec經典黃色與黑色搭配的設計，凸顯電源本體風扇護網與中間Antec商標銘牌的特色。
右下角標上產品的幾項特色與功能。分別為80PLUS金牌認證、全日系電解電容、持續足瓦功率輸出的保證、混合的先進線材設計、以及理想條件下可達92%的轉換效率的圖示。中間則打上產品型號及瓦數:NeoECO 650 GOLD
外包裝背面，以四種語言介紹產品主要特色與保護機制，左下與右下方分別為在110V與230V交流電下的轉換效率，以及風扇轉速與噪音的圖表。
外包裝側面，標註輸入輸出的範圍與輸出能力的規格、各輸出接頭的數量、AQ7(7年保固)的標誌，以及各地區的技術支持的聯絡方式。下方標示產品名稱縮寫:NE650G。
外包裝上下方的部分，下方有安規認證標示、產品型號與序號的條碼，產地為中國製造
上方則是使用簡約的白色搭配Antec商標與NEG650W的型號設計。
盒裝內容物一覽:包含了電源本體、模組化線材、IEC電源線、說明書與AQ7保固書、四枚粗牙螺絲。電源方面被以充氣柱安全的包裹，避免運送途中的嗑碰。
內部所附的電源線採耐壓耐流125V/12A 線徑1.25mm2的規格。
大多數這個級距的電源多數只會配到耐流10A的電源線，此款搭配耐流更高的電源線來說，算是稍微增加成本的一點配法。電源線為雙直的日規設計，接地線採額外接出。
對於家裡未配置三孔插座的人來說較為方便。但為了安全起見，相關接地措施仍然建議要做好。
模組線材總共附上四條，完全對應電源本體上的四個模組接線插孔。
兩個PCI-E 6+2 Pin使用一條，其他三條則都是兩個SATA與一個MOLEX 4Pin。並且都採用扁線的設計。
兩張紙分別為說明書與保固資訊，說明書上方寫有有關有害物質的規範列表。
電源本體一覽
本體方面採用消光黑化外殼與半模組化的設計。如圖前言所說，主要會用到的ATX 24 Pin與CPU EPS 8 Pin、還有兩個PCI-E 6+2Pin的部分，採直出的方式設計。
風扇護網採用前述外包裝圖片所示的直條型設計，中間有Antec的商標銘牌。
電源本體兩側貼有黃白色配色設計的Antec NE 650 GOLD字樣的裝飾貼紙
後方散熱孔的部分採用蜂巢狀開孔的設計，IEC交流電輸入口與實體電源開關也位於此處。
模組線輸出的部分位於離直出線較遠的部位，僅有四個插孔，8Pin的為PCI-E 6+2Pin專用，其餘則為SATA與Molex的部分，完全對應盒中所附上的四條模組線材，不多也不少。
風扇另一側上方，輸出能力銘牌位於此處。如同前述所說，+12V的輸出最大為540W，十分接近所標示的550W。符合現今以+12V為主流的設計。
其餘的安規標章、警告訊息、80PLUS金牌認證標誌、商品序號條碼也位於此處。
實際量測線材長度，直出的CPU EPS與第一個PCI-E 6+2Pin為72公分。
第二個PCI-E 6+2Pin為85公分。ATX 20+4 Pin則為60公分。
模組化的部分，第一個PCI-E為67公分，到下一個PCI-E為81公分。而peripheral的部分，到第一個SATA為58公分，後續的分別為72、90公分，並且所附上的三條模組線的長度都一樣。
內部拆解|
內部用料簡表
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一次側
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橋式整流器
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2x LITE-ON GBU1006 (600V / 10A)
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APFC 開關晶體
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2x 虹冠電子(Champion) GPT13N50DG (500V /13A Continuous@ 25°C/ 0.49Ω)
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APFC 升壓二極體
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1x 意法半導體(ST) STTH8S06D (600V 8A @ 25°C)
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BULK電容
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1x 日本化工 KMR 400V 330uF +105°C
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主開關晶體
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4x 虹冠(Champion) GPT10N50ADG (500V /9.7A Continuous@ 25 °C/ 0.7 Ω)
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APFC 控制IC
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虹冠(Champion) CM6500
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諧振控制IC
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虹冠(Champion) CM6901T6X
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架構
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一次側:全橋LLC
二次側:DC-DC+同步整流
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二次側
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+12V
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2x NXP(恩智浦) PSMN2R6-40YS (40V, 100A @ 25°C, 2.8mΩ)
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5V & 3.3V
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二次側濾波電容
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電解電容:日本化工Nippon Chemi-Con KZE、KY (105°C )
固態電容:日本化工PSE&PSF (DC-DC riser card)，
FPCAP、立隆電子(模組接線板)
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監控IC
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偉詮電子(Weltrend) WT7527V
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風扇
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鴻華HA1225H12S-Z 120mm、12V/0.58A
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+5VSB電路
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PWM待機控制IC+MOSFET
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杰力科技(Excelliance MOS)EM8569(整合MOSFET)
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將外殼卸除的樣子，採用海韻今年所發表的全橋LLC+DC-DC新架構的設計
並且在底部有塑膠片與外殼隔離，避免元件接觸到外殼發生意外
在風扇上使用鴻華的HA1225H12S-Z油封散熱風扇，直徑120mm、12V/0.58A，最高轉速為2200rpm。
PCB背面一覽。做工方面還不錯，幾個重要的IC與元件都設計於PCB背面，針對部分大電流元件採用敷錫設計，唯一的缺點就是左邊的白色的固定點膠有點多出來了
一級EMI Filter設計在交流電輸入孔後方；包含一個X電容與兩個Y電容，交流輸入後的L/N線也有套上磁環濾波。實體開關亦位於此處，焊點也位於此PCB板上，設計上僅切斷L線。
PCB上方還有一顆虹冠CM02X X電容放電 IC，相較於一般使用放電電阻並聯在X電容上的設計，能夠減少電力必須通過電阻而造成的功率損失，對EMI方面也有幫助。
二級EMI Filter ；包含一個藍色圓餅狀的MOV、兩個電感、一個X電容以及兩個Y電容。
並且在Y電容上都有套上磁珠；一旁被以黑色熱縮套管包覆的保險絲以直立式安裝。
兩枚橋式整流器以並聯的方式設計，並鎖在散熱片上幫助散熱，型號均為LITE-ON的GBU1006，每顆耐壓為600V/10A。
根據相關公式，如果按80PLUS金牌的87%轉換效率來計算了話(扣除橋整Vf參數等其他因素)，其實單枚GBU1006的橋式整流器就足以在85V的交流電下應付這顆電源650W的輸出功率了(85(V)*10(A)*0.87=739.5；已超過650W)。但這顆電源卻還是花上額外的成本放上了兩枚GBU1006的整流器。這樣超規格的用料確實值得稱讚。
(註:大部分的電源交流輸入雖然標示100-240V，但如果要比較嚴格了話實際上會要求通過到85-265Vac輸入下都可正常運作)
APFC開關晶體採用兩枚虹冠的GPT13N50DG (如紅框處)，同樣在gate極上都有套上磁珠；APFC升壓二極體則是採用意法半導體的STTH8S06D (如黃框處)。
而Relay與NTC也放置在附近，NTC用以抑制Inrush Current(如綠框處)，而繼電器(Relay 如藍框處)會將NTC短路，去除NTC作用所造成的轉換功率損失。繼電器採用中國宏發的HF46F-G。
APFC控制IC採用虹冠的CM6500UNX，位於PCB板背面。
在這顆電源中，APFC電感採用封閉式電感，能夠有更好的效率與更低的發熱。
BULK電容(APFC主電容)的選用上採用日本化工KMR系列 400V 330uF 105度的電解電容。
在其他開箱文可能會看到這顆電源採用不同廠牌的主電容，如日立或是Rubycon、Nichcon的，由於供應商交期或是制價等等因素，使用上相同等級但不同供應商的元件在業界也很常見的做法，大家毋需擔心。
主開關晶體的部分，採用全橋(Full Bridge)式的架構，因此需要用上四顆MOSFET
兩顆MOSFET鎖在一片散熱片加強散熱，主開關晶體都是採用虹冠GPT10N50ADG，並且在gate極上都有套上磁珠，抑制寄生震盪。
+5VSB採用杰力科技(Excelliance MOS)的EM8569C，該IC整合controller與MOSFET的功能，一旁的變壓器為輸出+5VSB使用的待機輔助變壓器。
虹冠CM6901T6X SLS(整合LLC/SRC+SR同步整流)IC 位於PCB背面，目前幾乎大部分LLC/SRC架構的電源都使用該方案，十分常見。
電源中間的部分。紅框為主變壓器，主要負責+12V功率與生成-12V。左上方紫框為用於四枚主開關晶體的驅動隔離變壓器。中間米色框為LLC諧振電路，由CT比流器、諧振電感與電容組成。
+12V同步整流Mosfet採用兩枚恩智浦(NXP Nexperia)的2R640s(完整型號PSMN2R6-40YS MOSFET)，並且藉由外二次側輸出電路附近上方的散熱片來加強散熱。這裡的銲錫似乎有一點手動補上的痕跡，但應該只是個體的做工小差異。
保護監控IC採用偉詮電子(Weltrend)WT7527V(如籃框處)，提供多項保護機制，並且接收來自主機板的PS-ON訊號並吐出PG訊號以啟動系統；一旁紅框處為三枚LITE-ON 817B光耦合器，將高低壓處的電路進行隔離，避免發生異常時高壓區的電力流進低壓區，造成更大的損毀。
+12V to 5V & 3.3V轉換子板 ，上方固態電容同樣採用日系NCC所生產的，為PSE與PSF系列混用。另一側還有DC to DC 控制IC與Mosfet。
3.3V與5V每組各分別使用一顆力智uP1504S PWM controller IC與兩枚(1HS+1LS佈局)的力祥M3004D MOSFET。分別將12V轉換成+3.3V與+5V。
二次側輸出濾波電容，同樣採用常見的 C-L-C 型配置，電解電容的部分同樣也是NCC KY/KZE等系列的耐溫105度的製品。
模組接線板上亦有放上數枚固態電容來增進輸出品質；廠牌分別為FPCAP與台灣立隆電子的製品。
直出線的部分，線組尾端以不同顏色的熱縮套管包覆，以區分線路種類；並接於分隔的白色底座。
性能測試
測試平台圖片一覽
CPU:Intel G3220
RAM:Kingston Pentium DDR3 1333 8G
MB:ASUS Z87 DELUXE/DUAL
VGA:ASUS STRIX RX470 4G x1 + MSI RX470 Gaming 8G x1
+GIGABYTE AORUS RX580 8G XTR x1
SSD:ADATA SP920 256G
PSU:Antec NeoEco 650W GOLD
OS: Win10 x64 Pro
MONITOR:HP ZR30W
AC input:110V@60Hz
這次將智慧型插座利用轉接的方式，直接連接於110V的插座上，並且藉由內附電源線來進行測試。
量測使用优立得UT61-E電表，並使用其附帶的RS232 Data logging功能於另一台電腦上記錄數據，以EXCEL來製作折線圖表並以Windows內置的剪取工具編輯。
測試使用以上配備，並使用Claymore\’s Dual Ethereum+Decred_Siacoin_Lbry_Pascal AMD+NVIDIA GPU Miner V10.2進行挖礦(只單挖ETH)附載測試；
一開始先以待機狀態量測2分鐘，之後運行上述程式6分鐘，再關閉2分鐘。每次測試總共約10分鐘，以觀察電壓變化。
↑待機時110V AC端耗電約123W。測試時110V AC端耗電約539W。
測試結果如下圖
↑CPU EPS 4+4Pin +12V量測結果
↑PCI-E 6+2Pin +12V量測結果
↑ATX 20+4Pin +3.3V量測結果
↑MOLEX 4Pin +12V量測結果
↑MOLEX 4Pin +5V量測結果
心得結論這款Antec NE650G的電源供應器，在輸出表現方面確實不差。以吃電最重也是高階玩家最為重視的顯卡Pci-e 6+2Pin的測試下。
最高到最低大概只差距0.05V(12.05-12.1V)，與+12V整數偏差最高到0.1V。這樣的表現算是還蠻不錯的。
或許玩家會觀察到在測試到大約500秒的時間開始出現較明顯的電壓波動，但實際上這個電壓波動應該不是電源本身的輸出情況問題，而是顯卡在挖礦時抽取電力不夠穩定的情況。
當然縱使在這樣較嚴格的測試情況下，也沒有見到頻繁且異常高的壓升或壓降紀錄。
都有控制在一定的範圍內。
目前在通路上，這款產品的售價大概在$2950左右。這個價位其實跟坊間他牌的650W系列的金牌電源是差不多的。
整體用料與表現上也沒有太差的水準或情況，確實是個兼具C/P值與內容的產品。
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