終結連9季上漲態勢 DRAM與NAND Flash Q4至明年價格將續跌

鉅亨網記者林薏茹 台北

2018年10月9日 下午3:38

研調機構 TrendForce 旗下記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 最新調查指出，DRAM 第 4 季合約價可能反轉下跌 5%，也不排除跌幅持續擴大的可能，而 NAND Flash 均價在第 3 季下跌約 10% 後，第 4 季因受中美貿易戰波及，預估跌幅將擴大至約 10~15%，並預期明年 DRAM 價格年均價將下滑約 15~20%、NAND Flash 價格可能續跌 25~30%。

DRAMeXchange 指出，雖然下半年是產業旺季，但市場持續供過於求，DRAM 第 3 季合約價季漲幅縮小到僅 1~2%，第 4 季可能反轉下跌 5%，也不排除跌幅持續擴大的可能。

其中，NAND Flash 均價在第 3 季下跌約 10% 後，第 4 季因受中美貿易戰波及，預估跌幅將大於第 3 季，擴大至約 10~15%。

分析主要原因，DRAMeXchange 表示，智慧型手機硬體規格已難以吸引換機需求，使旺季出貨表現平淡，加上伺服器市場出貨動能出現雜音，及 PC/NB 市場因 Intel 平台供貨不足而受到衝擊，均為使下半年 DRAM 需求趨弱的主要原因。

觀察下半年供給狀況，雖然各大原廠都意識到明年供過於求的態勢底定，試圖延後或放緩增加資本支出及擴產計劃，但由於 1X/1Y 製程比重持續增加、良率穩定提升，使今年第 3、4 季位元產出持續增加，尤以 1Gb 獲利能力最佳的伺服器記憶體最多，可能因此使伺服器記憶體價格很快開始走弱，連帶使整體 DRAM 平均售價下跌。

展望明年，DRAMeXchange 指出，雖然各家對後續新增產能計劃較保守，但投片量仍逐漸上升，加上明年也將持續受惠 1X/1Y 製程進入成熟期，預計整體位元年產出將成長近 22%，而 DRAM 價格跌幅仍取決需求端變化，觀察伺服器出貨與單機搭載量是否有足夠的成長動能。

DRAMeXchange 預估，明年 DRAM 價格年均價將下滑約 15~20%，並示警若伺服器與智慧型手機需求出現重大修正，價格恐怕會有進一步下滑的風險。

NAND Flash 市場部分，DRAMeXchange 表示，同樣受消費性電子產品需求不如預期影響，伺服器 / 資料中心對於 Enterprise SSD 需求雖穩定成長，但因產品毛利較高，使其成為 NAND Flash 原廠必爭之地，導致 Enterprise SSD 價格不斷走跌。供給方面，今年下半年 64/72 層 3D NAND Flash 良率持續提升與產能擴增，主要供應商皆上修產出預測。

DRAMeXchange 也預期，明年上半年處傳統淡季，加上中美貿易戰持續發酵，對智慧型手機、筆記型電腦與平板電腦等主要消費性產品出貨量預估都不樂觀，價格持續走跌可能性偏高。

明年下半年 NAND Flash 原廠是否放緩各自 96 層轉進速度與新產能擴充的腳步，將是影響供需缺口的關鍵因素。

以目前各廠商初步規畫來看，DRAMeXchange 預期，明年第 4 季 NAND Flash 整體產能將年增 5%，其中，3D 產能將較今年第 4 季大幅增加 2 成。

DRAMeXchange 認為，NAND Flash 業者未來很可能下修原先對於明年的資本支出規畫，且受到 3D NAND Flash 產能續增影響，明年 NAND Flash 價格可能續跌 25~30%。