隨著去年Q4
DRAM晶片價格開始下跌，DDR4記憶體的價格已經有了鬆動。
現在的DDR4記憶體已經有了「繼承者」—DDR5，標準及晶片生產都完成了；不過尚無平臺支持，最快今年底才會有DDR5記憶體上市，然2020年上市還是較有可能的。
DDR5記憶體的頻率能達到6400Mbps，頻寬比現有水準多了一倍，而SK Hynix日前透露已開始研發DDR6記憶體，預計可達12Gbps，頻寬再次翻倍。
DDR5是新一代記憶體標準，相關規範去年已經公佈，三星、美光之前也宣佈旗下的16Gb DDR5記憶體了—三星去年甚至宣佈了行動版的LPDDR5-6400記憶體。
SK Hynix去年發佈了16Gb DDR5，號稱是首個完全滿足JEDEC標準的DDR5記憶體晶片，使用的也是1Ynm工藝，頻率達到了DDR5-5200，頻寬比DDR4-3200記憶體高了大約60%，是目前已公佈的DDR5記憶體中頻率最高的，距離標準上限DDR5-6400MHz也沒多遠了。
至於DDR5的量產時間，SK Hynix明確表示他們會在2020年量產DDR5記憶體，也就是至少還有一年多時間。在SK Hynix之前，美光也宣佈過DDR5記憶體量產計畫：他們預計會在2019年底開始量產DDR5記憶體。
總之，不論哪家記憶體晶片公司，量產DDR5記憶體的時間都不會很早，2020年才是起步時間。
但在技術研發方面，DDR5記憶體的工作是已經完成了，下一步就是DDR6記憶體了，韓國先驅導報援引SK Hynix公司記憶體研發人員Kim Dong-kyun的消息稱，他們已經開始研發DDR6記憶體了，預計需要5-6年時間才能完成。
目前業界還沒有統一的DDR6規範，SK Hynix方面提出了DDR6記憶體的兩個方向，一個是繼續目前不斷提升頻率/頻寬的技術路線，另一個則是跟系統技術結合起來，比如跟CPU結合—然而，目前尚無定論。
若是繼續提高頻率的話，DDR6記憶體的頻率將達到12Gbps，較目前DDR5記憶體標準上限DDR5-6400再翻一倍，頻寬也會翻倍，意味著單條記憶體頻寬能達到100GB/s。
不過現在說的這些依然只是DDR6記憶體技術的潛在選擇，5年後記憶體市場變化可能會很大，DDR6標準依然是起步階段，提升頻率只是其中一個方向，未來3D堆疊的記憶體技術必然會對DDR記憶體發起挑戰。
資料來源
現在的DDR4記憶體已經有了「繼承者」—DDR5，標準及晶片生產都完成了；不過尚無平臺支持，最快今年底才會有DDR5記憶體上市，然2020年上市還是較有可能的。
DDR5記憶體的頻率能達到6400Mbps，頻寬比現有水準多了一倍，而SK Hynix日前透露已開始研發DDR6記憶體，預計可達12Gbps，頻寬再次翻倍。
DDR5是新一代記憶體標準，相關規範去年已經公佈，三星、美光之前也宣佈旗下的16Gb DDR5記憶體了—三星去年甚至宣佈了行動版的LPDDR5-6400記憶體。
SK Hynix去年發佈了16Gb DDR5，號稱是首個完全滿足JEDEC標準的DDR5記憶體晶片，使用的也是1Ynm工藝，頻率達到了DDR5-5200，頻寬比DDR4-3200記憶體高了大約60%，是目前已公佈的DDR5記憶體中頻率最高的，距離標準上限DDR5-6400MHz也沒多遠了。
至於DDR5的量產時間，SK Hynix明確表示他們會在2020年量產DDR5記憶體，也就是至少還有一年多時間。在SK Hynix之前，美光也宣佈過DDR5記憶體量產計畫：他們預計會在2019年底開始量產DDR5記憶體。
總之，不論哪家記憶體晶片公司，量產DDR5記憶體的時間都不會很早，2020年才是起步時間。
但在技術研發方面，DDR5記憶體的工作是已經完成了，下一步就是DDR6記憶體了，韓國先驅導報援引SK Hynix公司記憶體研發人員Kim Dong-kyun的消息稱，他們已經開始研發DDR6記憶體了，預計需要5-6年時間才能完成。
目前業界還沒有統一的DDR6規範，SK Hynix方面提出了DDR6記憶體的兩個方向，一個是繼續目前不斷提升頻率/頻寬的技術路線，另一個則是跟系統技術結合起來，比如跟CPU結合—然而，目前尚無定論。
若是繼續提高頻率的話，DDR6記憶體的頻率將達到12Gbps，較目前DDR5記憶體標準上限DDR5-6400再翻一倍，頻寬也會翻倍，意味著單條記憶體頻寬能達到100GB/s。
不過現在說的這些依然只是DDR6記憶體技術的潛在選擇，5年後記憶體市場變化可能會很大，DDR6標準依然是起步階段，提升頻率只是其中一個方向，未來3D堆疊的記憶體技術必然會對DDR記憶體發起挑戰。
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