Micron宣布已經成功試產了全球第一個將LPDDR5 DRAM顆粒、96層堆疊3D NAND顆粒整合封裝在一起的晶片“uMCP5”，針對追求高速記憶體、高性能儲存的主流和旗艦5G智慧手機，當然用在中高階4G手機裡也沒問題。
如今的5G旗艦手機已經將LPDDR5、UFS 3.0/3.1作為標準配置，而且都是大容量，但由於傳統手機中的記憶體都是與SoC處理器整合封裝，快閃記憶體則是獨立晶片，會佔用不少空間，加之5G手機內部元器件急劇增加、結構非常複雜，整體設計難度也大大增加。
美光uMCP5單晶片整合了12GB容量、6400MHz頻率、第二代10nm級製程製造的雙通道LPDDR5，256GB容量、96層堆疊、UFS的3D TLC，以及板載控制器，對外則是297針標準BGA封裝。
Micron表示uMCP5相比傳統記憶體、快閃記憶體雙晶片組合可以節省40％的面積，同時記憶體和儲存頻寬比上代方案提升50％。
Micron表示uMCP5晶片已經向特定客戶提供樣品，但未披露具體都有誰。
消息來源
如今的5G旗艦手機已經將LPDDR5、UFS 3.0/3.1作為標準配置，而且都是大容量，但由於傳統手機中的記憶體都是與SoC處理器整合封裝，快閃記憶體則是獨立晶片，會佔用不少空間，加之5G手機內部元器件急劇增加、結構非常複雜，整體設計難度也大大增加。
美光uMCP5單晶片整合了12GB容量、6400MHz頻率、第二代10nm級製程製造的雙通道LPDDR5，256GB容量、96層堆疊、UFS的3D TLC，以及板載控制器，對外則是297針標準BGA封裝。
Micron表示uMCP5相比傳統記憶體、快閃記憶體雙晶片組合可以節省40％的面積，同時記憶體和儲存頻寬比上代方案提升50％。
Micron表示uMCP5晶片已經向特定客戶提供樣品，但未披露具體都有誰。
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