關於蘋果新一代iPhone（iPhone 12系列）的最新進展，業內有了最新披露。
消息稱，全球領先的砷化鎵微波積體電路（GaAs MMIC）晶圓代工公司穩懋半導體（Win Semiconductors）從6月開始就在密集生產，為蘋果加工新iPhone所需的VCSEL芯片，比如Face ID模塊的3D傳感器、背部攝像頭的ToF飛行時間傳感器等。
芯片檢查工具由Elite Advanced Laser和Chroma Ate等開發，據稱蘋果設定的終端產品出貨時間是9月，並且，2021年的產品還會保留對VCSEL芯片的大規模使用。
與此同時，台積電後端服務子公司Xintec（精材科技）繼續為新iPhone提供3D CMOS的DOE封裝服務。
遺憾的是，從上述消息我們僅能知道iPhone 12會保留前面容ID劉海，但是否面積縮小，並未得到作證。另外，ToF的出現意味著，背部三攝+LiDAR激光雷達掃描儀的組合進一步實錘。
從本週配件開模廠商提供的樣板來看，iPhone 12系列今年有四款，造型上與iPhone 11系列變化最大的幾點包括新增5.4寸、中框無弧度扁平化、SIM卡槽從右側電源鍵下方挪到左側音量鍵下方等。
消息來源
消息稱，全球領先的砷化鎵微波積體電路（GaAs MMIC）晶圓代工公司穩懋半導體（Win Semiconductors）從6月開始就在密集生產，為蘋果加工新iPhone所需的VCSEL芯片，比如Face ID模塊的3D傳感器、背部攝像頭的ToF飛行時間傳感器等。
芯片檢查工具由Elite Advanced Laser和Chroma Ate等開發，據稱蘋果設定的終端產品出貨時間是9月，並且，2021年的產品還會保留對VCSEL芯片的大規模使用。
與此同時，台積電後端服務子公司Xintec（精材科技）繼續為新iPhone提供3D CMOS的DOE封裝服務。
遺憾的是，從上述消息我們僅能知道iPhone 12會保留前面容ID劉海，但是否面積縮小，並未得到作證。另外，ToF的出現意味著，背部三攝+LiDAR激光雷達掃描儀的組合進一步實錘。
從本週配件開模廠商提供的樣板來看，iPhone 12系列今年有四款，造型上與iPhone 11系列變化最大的幾點包括新增5.4寸、中框無弧度扁平化、SIM卡槽從右側電源鍵下方挪到左側音量鍵下方等。
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