目前半導體工藝已經發展到了5nm，明年三星台積電都在搶3nm工藝首發，之後還會有2nm工藝，再之後的1nm節點又是個分水嶺了，需要全新的半導體技術。
IBM、三星等公司上半年公佈了全球首個2nm工藝晶片，現在雙方又在IEDM 2021會議上宣佈了最新的合作成果，推出了VTFET（垂直傳輸場效應電晶體）技術，它與傳統電晶體的電流水準方向傳輸不同，是垂直方向傳輸的， 有望進軍1nm及以下工藝。
根據IBM及三星的說法，VTFET技術有2個優點，一個是可以繞過現在技術的諸多性能限制，進一步擴展摩爾定律，另一個就是性能大幅提升，採用VTFET技術的晶片速度可提升兩倍，或者降低85%的功耗。
這個技術要是量產了，那麼晶片的能效比是大幅提升的，智慧手機充電一次可使用兩週，不過三星及IBM依然沒有公佈VTFET工藝的量產時間，所以還是要等——反正革命性的電池及革命性的晶片技術實現一個就能讓手機續航質變。
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