台積電當前量產最先進的製程是5nm及改良版的4nm製程,3nm製程因為種種原因一直延遲。
9月就說量產了,又說年底量產,但這個月就算量產,真正放量亦要到明年了。
據台積電之前的消息,3nm製程上至少有5代衍生版,分別是N3、N3P、N3S、N3X、N3E,其中N3製程是最早量產的,但此版製程遭到客戶棄用,很大可能就放棄了,明年直接上N3E製程。
對比N5製程,N3製程功耗可降低約25-30%,效能可提升10-15%,電晶體密度提升約70%。
N3E製程於N3製程的基礎上提升效能、降低功耗、擴大應用範圍,對比N5製程同等效能和密度下功耗降低34%、同等功耗和密度下效能提升18%,或者可以將電晶體密度提升60%,密度上甚至更低了一些。
考量近年來摩爾定律一直在放緩,70%左右的密度提升看起來還不錯,但此為台積電公布的最好水準,指的是純邏輯晶片,SRAM靜態隨機存取記憶體的密度就只有20%了,N3E還會更低。
然而,20%的提升依然是理論上的美好,台積電之前於IEDM國際電子元件會議上公布了更真實的數據,3nm製程的SRAM於電晶體密度上僅較5nm製程高出5%,指標大幅縮水。
儘管3nm製程仍有10-15%的效能或25-30%的功耗改進,但是此些指標顯然亦是非常理想的情況,實際提升亦會與密度一樣存在縮水。
但是,3nm製程晶圓代工價格上漲是實實在在的,傳聞是2萬美元一片,較5nm製程漲價至少25%以上。且2萬美元還是基準價格,如果廠商訂單量達不到台積電要求,價格還會大漲,超過10萬美元也很正常,如此價格晶片設計廠商的成本根本撐不住。
台積電於需求下降之際依然想逆勢漲價,但遭蘋果拒絕,反對的理由是蘋果近幾年獲利率一直為提升,而台積電獲利率已從50%提升至60%了。
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